NVD5867NLT4G-TB01
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NVD5867NLT4G-TB01 |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | DPAK-3 |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 11A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 675 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6A (Ta), 22A (Tc) |
Grundproduktnummer | NVD586 |
NVD5867NLT4G-TB01 Einzelheiten PDF [English] | NVD5867NLT4G-TB01 PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
![]() NVD5867NLT4G-TB01onsemi |
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Zielpreis (USD)
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